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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 74 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRF830APBF

Produkt-Nr.: P-CCDZWJ

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
5 A
Drain-Source-Spannung max.
500 V
Drain-Source-Widerstand max.
1,4 Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs
24 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Höhe
9.01mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 74 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040892576