Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 23 A 370000 mW, 3-Pin TO-247AC
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 23 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 235 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 150 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247AC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 23 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 235 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 370000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040886971
