Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 600 mA 1 W, 4-Pin HVMDIP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Breite

6.29mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

600 mA

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Drain-Source-Widerstand max.

1,5 Ω

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

HVMDIP