Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP

Name: Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFI630GPBF

Produkt-Nr.: P-CCV6J6

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 5,9 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 400 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-220FP

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor