Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,2 A 50 W, 3-Pin TO-220AB
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 5,2 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 800 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220AB
- Höhe
- 9.01mm
Produktbeschreibung
Montage-Typ = THT
Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040894884