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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,2 A 50 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRF620PBF

Produkt-Nr.: P-CCJPBP

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
5,2 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
800 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Höhe
9.01mm

Produktbeschreibung

Montage-Typ = THT
Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040894884