Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1,3 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,3 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Drain-Source-Widerstand max.

270 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Höhe

3.37mm