Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Drain-Source-Widerstand max.

540 mΩ

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Länge

5mm