Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A, 8-Pin 10 x 12

Name: Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A, 8-Pin 10 x 12
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHK155N60E-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-CGKYC3

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 19 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Gehäusegröße: 10 x 12
Montage-Typ: SMD
Pinanzahl: 8
Transistor-Werkstoff: Silicon

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 19 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = 10 x 12
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon

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