Vishay IGBT / 372 A ± 20V max. Dual, 650 V 789 W, 7-Pin INT-A-PAK N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

2

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

372 A

Gate-Source Spannung max.

± 20V

Gehäusegröße

INT-A-PAK

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Konfiguration

Halbbrücke

Montage-Typ

Tafelmontage

Pinanzahl

7

Verlustleistung max.

789 W