STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A, 7-Pin Band und Rolle

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

29nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Höhe

3.5mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30A

Länge

18.58mm