STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 7 A, 3-Pin Band und Rolle

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.9Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Höhe

4.7mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

7A