STMicroelectronics STP N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 125 W, 2-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0195Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

85nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

60A