STMicroelectronics STL N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 268 A 187 W, 8-Pin PowerFLAT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.3mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

145nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

268A