STMicroelectronics STHU65N1 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET N 650 V / 26 A 179 W, 7-Pin HU3PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

110mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

78nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

HU3PAK

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

26A