STMicroelectronics STH200 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 340 W, 3-Pin H2PAK-2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

93nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

180A