STMicroelectronics STH N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 397 A 341 W, 6-Pin H2PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

230nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20V

Gehäusegröße

H2PAK

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

397A