STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 12 A 250 W, 3-Pin H2PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

690mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

44.2nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

H2PAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

12A