STMicroelectronics STB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 30 A 210 W, 2-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

600V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

99mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

44nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30A