STMicroelectronics STB Series N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterungsmodus 250 V / 56 A 320 W, 3-Pin TO-263
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterungsmodus
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 250V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 18mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.6V
- Gate-Source-spannung max (Vgs)
- 30V
- Gehäusegröße
- TO-263
- Kabelkanaltyp
- N-Kanal
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 56A
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
Produktbeschreibung
Kabelkanaltyp = N-Kanal
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) = 56A
Drain-Source-Spannung (Vds) max. = 250V
Gehäusegröße = TO-263
Serie = STB Series
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. = 18mΩ
Channel-Modus = Erweiterungsmodus
Durchlassspannung (Vf) = 1.6V
Gate-Source-spannung max (Vgs) = 30V
Maximale Verlustleistung (Pd) = 320W
Betriebstemperatur min. = -55°C
Maximale Betriebstemperatur = 150°C <br
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET