STMicroelectronics ST8L65N0 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET N 650 V / 44 A 223 W, 5-Pin PowerFlat HV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

65mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

78nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30V

Gehäusegröße

PowerFlat HV

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

44A