STMicroelectronics SiC MOSFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2

Name: STMicroelectronics SiC MOSFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 12.15 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCT20N120H

Produkt-Nr.: P-CC7MY8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 1200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 203mΩ
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 45nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 25 V
Gehäusegröße: H2PAK-2
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 20A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C

Produktbeschreibung

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Das SiC-Material hat hervorragende thermische Eigenschaften.Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität