STMicroelectronics SiC MOSFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 203mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 45nC
- Gehäusegröße
- H2PAK-2
- Höhe
- 10.4mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 20A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Das SiC-Material hat hervorragende thermische Eigenschaften.Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET