STMicroelectronics SCTL35N65G2V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 417 W, 4-Pin PowerFLAT
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 67mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 3.3V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 73nC
- Gehäusegröße
- PowerFLAT
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 40A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
Produktbeschreibung
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.Very fast and robust intrinsic body diode Low capacitance Source sensing pin for increased efficiency
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET