STMicroelectronics SCTL35N65G2V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 417 W, 4-Pin PowerFLAT

Name: STMicroelectronics SCTL35N65G2V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 417 W, 4-Pin PowerFLAT
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 12.83 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTL35N65G2V

Produkt-Nr.: P-CCZL2N

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 67mΩ
Durchlassspannung (Vf): 3.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 73nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 22 V
Gehäusegröße: PowerFLAT
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 40A

Produktbeschreibung

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.Very fast and robust intrinsic body diode Low capacitance Source sensing pin for increased efficiency