STMicroelectronics SCT025H120G3AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 375 W, 7-Pin H2PAK-7

Name: STMicroelectronics SCT025H120G3AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 375 W, 7-Pin H2PAK-7
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 15.43 EUR
Availability: InStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCT025H120G3AG

Produkt-Nr.: P-CZGVTM

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 1200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 27mΩ
Durchlassspannung (Vf): 2.7V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 73nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 22V
Gehäusegröße: H2PAK-7
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 55A
Maximale Verlustleistung (Pd): 375W
Montageart: Oberfläche
Pinanzahl: 7
Produkt Typ: MOSFET
Serie: SCT025H120G3AG

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 55A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 1200V
Gehäusegröße = H2PAK-7
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 27mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Gate-Source-spannung max Vgs = 22V
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 15.25mm
Automobilstandard = AEC-Q101

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