STMicroelectronics SCT025H120G3AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 55 A 375 W, 7-Pin H2PAK-7

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

27mΩ

Durchlassspannung (Vf)

2.7V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

73nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

55A