STMicroelectronics SCT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V / 100 A 555 W, 7-Pin H2PAK-7

Name: STMicroelectronics SCT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V / 100 A 555 W, 7-Pin H2PAK-7
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 16.26 EUR
Availability: InStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCT020H120G3AG

Produkt-Nr.: P-CZKT7T

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 1200V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 18.5mΩ
Durchlassspannung (Vf): 3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 121nC
Gehäusegröße: H2PAK-7
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 100A
Maximale Betriebstemperatur: 175°C
Maximale Verlustleistung (Pd): 555W

Produktbeschreibung

Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 100A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 1200V
Gehäusegröße = H2PAK-7
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 18.5mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 121nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Normen/Zulassungen = AEC-Q101, RoHS
Automobilstandard = AEC-Q101

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