STMicroelectronics SCT0, Oberfläche MOSFET 1200 V / 90 A 500 W, 7-Pin HU3PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

19.2mΩ

Durchlassspannung (Vf)

3V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

111.2nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

HU3PAK

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

90A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

500W