STMicroelectronics SCT0, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin HU3PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

29mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

60.4nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

HU3PAK

Höhe

3.5mm

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

60A

Länge

18.58mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C