STMicroelectronics SCT0, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin HU3PAK
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 29mΩ
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 60.4nC
- Gehäusegröße
- HU3PAK
- Höhe
- 3.5mm
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 60A
- Länge
- 18.58mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 300W
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Leistungs-MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 60A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 650V
Gehäusegröße = HU3PAK
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 29mΩ
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs = 60.4nC
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 18.58mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET