STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1200 V / 90 A 555 W HU3PAK

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

18.5mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

28nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22 V

Gehäusegröße

HU3PAK

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

90A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

555W