STMicroelectronics SCT, Oberfläche MOSFET 1200 V / 55 A 375 W H2PAK-7
Technische Daten
- Automobilstandard
- AEC-Q101
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 1200V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 27mΩ
- Gehäusegröße
- H2PAK-7
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 55A
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 375W
- Montageart
- Oberfläche
- Normen/Zulassungen
- No
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET