STMicroelectronics SCT, Oberfläche MOSFET 1200 V / 55 A 375 W H2PAK-7

Technische Daten

Automobilstandard

AEC-Q101

Betriebstemperatur min.

-55°C

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

27mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

25 V

Gehäusegröße

H2PAK-7

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

55A

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Verlustleistung (Pd)

375W

Montageart

Oberfläche