STMicroelectronics Sct N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 388 W, 7-Pin HU3PAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

21.5mΩ

Durchlassspannung (Vf)

2.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

79.4nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

22V

Gehäusegröße

HU3PAK

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

60A