STMicroelectronics N-Kanal STH65N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 51 A, 7-Pin H2PAK-7
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Breite
- 24.3 mm
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 650V
- Gehäusegröße
- H2PAK-7
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 51A
- Länge
- 15.25mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 150°C
- Montageart
- Oberfläche
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET