STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-65°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

800V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

295mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.6V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

70nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

30 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17A