STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

500V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.19Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

45nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±25 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17A