STMicroelectronics MDmesh K5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 21 A, 3-Pin H2PAK-2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.69Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

44.2nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±30 V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

21A