STMicroelectronics M6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 11 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,308 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.75V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 5
- Serie
- M6
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = M6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 0,308 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics N-Kanal-MDmesh M6-Leistungs-MOSFET umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh-Familie von SJ MOSFETs. Die vorherige Generation von MDmesh Geräten durch die neue M6-Technologie wird von STMicroelectronics gebaut. Dies kombiniert eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz der Endanwendung.Geringere Schaltverluste Niedriger Gate-Eingangswiderstand 100%ig auf Stoßentladung geprüft Zenerdioden-geschützt
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
