STMicroelectronics IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 536 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 80 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±30V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Verlustleistung max.
- 536 W
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Verlustleistung max. = 536 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
