STMicroelectronics IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 536 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Gate-Source Spannung max.

±30V

Gehäusegröße

TO-247

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

Single

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Verlustleistung max.

536 W