STMicroelectronics IGBT / 108 A, 650 V 385 W, 7-Pin H2PAK-7 Oberfläche
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)
- 20 V
- Gehäusegröße
- H2PAK-7
- Höhe
- 4.8mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 650V
- Länge
- 15.25mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 175°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 2V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 385W
Produktbeschreibung
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 108A
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 650V
Maximale Verlustleistung Pd = 385W
Gehäusegröße = H2PAK-7
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 7
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO = 20 V°C
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Länge = 15.25mm
Automobilstandard = AEC-Q101
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT