STMicroelectronics IGBT / 108 A, 650 V 385 W, 7-Pin H2PAK-7 Oberfläche

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

1

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. (VGEO)

20 V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Höhe

4.8mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

650V

Länge

15.25mm

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

2V

Maximale Verlustleistung (Pd)

385W