STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, Oberfläche Transistor Erweiterung 700 V / 21.7 A 158 W, 8-Pin PowerFLAT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

700V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

105mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.8nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-6, 7V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

21.7A

Maximale Betriebstemperatur

150°C