STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 47 W, 2-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

700V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

350mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.5nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

-1.4, 7V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

6A

Maximale Betriebstemperatur

150°C