STMicroelectronics Darlington-Transistor 1 350 V 15 A NPN HFE:300, TO-3PF 3-Pin

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-65°C

DC-Stromverstärkung min. (hFE)

300

Emitter-Basisspannung max. (VEBO)

5V

Gehäusegröße

TO-3PF

Höhe

15.2mm

Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)

350V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))

1.8V

Maximale Verlustleistung (Pd)

65W