Semikron Danfoss IGBT-Modul / 616 A 20V max. Dual, 1200 V N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 616 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Anzahl an Transistoren = 2
Konfiguration = Dual
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Transistor-Konfiguration = Zweifach-Halbbrücke

Das SEMIKRON semitrans 3 Fast IGBT 4-Modul gehört zur IGBT4-Generation, die eine bevorzugte Wahl für Anwendungen wie elektronische Schweißgeräte bei Schaltfrequenzen von bis zu 20 kHz, AC-Wechselrichterantriebe und USV sein kann. Der Chipsatz bietet eine isolierte Kupfergrundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper) und in das Modul integrierte Soft-Switching-CAL-Diode der 4. Generation.Integrierter Gate-Widerstand Erhöhte Leistungszyklusfähigkeit und Soft-Switching IGBTs der Serie zwei Betriebstemperatur = -40 bis 150 °C.