Semikron Danfoss IGBT-Modul / 469 A 20V max., 1200 V, 11-Pin SEMiX®3p N-Kanal

Gate-Source Spannung max. = 20V
Konfiguration = Serie
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 11
Transistor-Konfiguration = Serie
Abmessungen = 150 x 62.4 x 17mm
Betriebstemperatur min. = –40 °C

SEMiX® Dual-IGBT-Module. Dual-IGBT-Module von Semikron in modernen, flachen SEMiX®-Gehäusen, die für Halbbrücken-Leistungssteuerungsanwendung geeignet sind. Die Module verwenden lötfreie Feder- oder Presssitz-Kontakte, sodass ein Gate-Treiber direkt an der Oberseite des Moduls montiert werden kann, was Platz spart und größere Anschlusszuverlässigkeit bietet. Typische Anwendungen umfassen AC-Frequenzumrichter, USV, elektronisches Schweißen und erneuerbare Energiesysteme. Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe ; 122-0385 122-0385 bis ; 122-0387 122-0387. Flaches, lötfreies Montagegehäuse IGBTs mit Trenchgate-Technologie Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit Presssitz-Stifte als Hilfskontakte UL-Zulassung