Semikron Danfoss IGBT-Modul / 260 A ±20V max., 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 106.4 x 61.4 x 30mm
- Betriebstemperatur max.
- +150 °C
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 260 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- SEMITRANS3
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- Tafelmontage
- Pinanzahl
- 7
- Transistor-Konfiguration
- Serie
Produktbeschreibung
Duale IGBT-Module. Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet. Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT