Renesas Electronics Oberfläche Transistor NPN 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- DC-Stromverstärkung min. (hFE)
- 40
- Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
- 5.5V
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
- 12V
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 8V
- Kollektorstrom DC max. (Idc)
- 65mA
- Maximale Betriebstemperatur
- 125°C
- Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
- 8000MHz
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 150mW
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 65mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 8V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 12V
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Pinanzahl = 16°C
Breite = 6 mmmm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059041370837