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Renesas Electronics Oberfläche Transistor NPN 8 V / 65 mA, SOIC 16-Pin

Marke: Renesas Electronics

Hersteller Artikel-Nr.: HFA3127BZ

Produkt-Nr.: P-CDCBY4

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
DC-Stromverstärkung min. (hFE)
40
Emitter-Basisspannung max. (VEBO)
5.5V
Gehäusegröße
SOIC
Kollektor-Basis Spannung max. (VCBO)
12V
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
8V
Kollektorstrom DC max. (Idc)
65mA
Maximale Betriebstemperatur
125°C
Maximale Übergangsfrequenz (Ft)
8000MHz
Maximale Verlustleistung (Pd)
150mW

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Transistor
Kollektorstrom DC max. Idc = 65mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 8V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis Spannung max. VCBO = 12V
Maximale Verlustleistung Pd = 150mW
Pinanzahl = 16°C
Breite = 6 mmmm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Bipolare Transistoren
GTIN
5059041370837