Renesas Electronics MOSFET MOSFET 3.5 A 8-Pin 8LD SOIC 16.5 V 0.5 ns
Technische Daten
- Abfallzeit
- 0.5ns
- Anstiegszeit
- 17ns
- Ausgangsstrom
- 3.5A
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- 8LD SOIC
- Höhe
- 1.75mm
- Länge
- 4.9mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 85°C
- Maximale Versorgungsspannung
- 16.5V
- Minimale Versorgungsspannung
- 4.5V
Produktbeschreibung
Gate-Treiber
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Gate-Treiber