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Renesas Electronics 256kbit LowPower SRAM 16K, 16bit / Wort 32bit, 3 V bis 3,6 V, TQFP-100 100-Pin

Marke: Renesas Electronics

Hersteller Artikel-Nr.: 70V261L25PFGI

Produkt-Nr.: P-CC3MM8

Technische Daten

Abmessungen
14 x 14 x 1.4mm
Adressbusbreite
32bit
Anzahl der Bits pro Wort
16bit
Anzahl der Wörter
16K
Breite
14mm
Gehäusegröße
TQFP-100
Höhe
1.4mm
Low Power
Ja
Montage-Typ
SMD
Organisation
16 K x 16

Produktbeschreibung

Speicher Größe = 256kbit
Organisation = 16 K x 16
Anzahl der Wörter = 16K
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 25ns
Adressbusbreite = 32bit
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TQFP-100
Pinanzahl = 100
Abmessungen = 14 x 14 x 1.4mm
Höhe = 1.4mm
Breite = 14mm

Der statische Hochgeschwindigkeits-RAM der Serie Renesas Electronics 70V261 mit 16 x 16 Dual-Port wurde für den Einsatz als eigenständiger Dual-Port-RAM oder als Kombination aus MASTER/SLAVE Dual-Port-RAM für 32-Bit- oder breitere Speichersystemanwendungen entwickelt. Er hat eine 100-Kanal-Zählung und einen TQFP-Gehäusetyp.Separate Steuerung für oberes und unteres Byte 70V261 erweitert die Datenbusbreite einfach auf 32 Bit oder Mehr On-Chip-Port-Arbitrierung-Logik Vollständige On-Chip-Hardware-Unterstützung der Semaphor-Signalisierung zwischen den Anschlüssen

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
SRAM