onsemi UniFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 460 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

25V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

1.1Ω

Durchlassspannung (Vf)

-1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

1.1nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

8 V

Gehäusegröße

SOT-23

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

460mA