onsemi UltraFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin WDFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

156mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

30nC

Gehäusegröße

WDFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

20A

Maximale Betriebstemperatur

150°C