onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 165 A 292 W, 8-Pin DFN

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

N

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

150V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

4.45mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

79nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Gehäusegröße

DFN

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

165A