onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin TO-252

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

50V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

100mΩ

Durchlassspannung (Vf)

1.5V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

40nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

10 V

Gehäusegröße

TO-252

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

14A