onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin TO-252
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55°C
- Channel-Modus
- Erweiterung
- Drain-Source-Spannung (Vds) max.
- 50V
- Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
- 100mΩ
- Durchlassspannung (Vf)
- 1.5V
- Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
- 40nC
- Gehäusegröße
- TO-252
- Höhe
- 2.39mm
- Kabelkanaltyp
- Typ N
- kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
- 14A
Produktbeschreibung
Produkt Typ = MOSFET
kontinuierlicher Drainstrom max. Id = 14A
Drain-Source-Spannung Vds max. = 50V
Gehäusegröße = TO-252
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand Rds max. = 100mΩ
Channel-Modus = Erweiterung
Maximale Verlustleistung Pd = 48W
Maximale Betriebstemperatur = 175°C
Höhe = 2.39mm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042635133