onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.4 A 480 mW, 3-Pin SOT-23

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

30V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

110mΩ

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

4.76nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

12 V

Gehäusegröße

SOT-23

Höhe

1.01mm

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

2.4A